TGS2353-2-SM

Qorvo
772-TGS2353-2-SM
TGS2353-2-SM

Tillverk:

Beskrivning:
RF-omkopplare, IC:er .5-18GHz SPDT 10W IL <1.5dB

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 382

Lager:
382 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
2.034,59 kr 2.034,59 kr
1.379,72 kr 34.493,00 kr
1.091,53 kr 109.153,00 kr
250 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF-omkopplare, IC:er
RoHS-direktivet:  
SPDT
500 MHz
18 GHz
1.5 dB
30 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-22
Si
TGS2353
Bulk
Märke: Qorvo
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: RF Switch ICs
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Del # Alias: TGS2353 1075676
Enhetens vikt: 7,210 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.