Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 19174.76 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD1025L

Tillverk: Nr.:

QPD1025L

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Datablad:

QPD1025L Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD1025L

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	19 174,76 kr	19 174,76 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	NI-1230-4
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	28 A
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Pd - Effektavledning:	758 W
Märke:	Qorvo
Konfiguration:	Dual Gate Dual Drain
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Utvecklingskit:	QPD1025LEVB1
Förstärkning:	22.9 dB
Maximal dränerings-styrspänning:	225 V
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	1.5 kW
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD1025L
Fabriksförpackningskvantitet:	18
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN SiC
Transistortyp:	HEMT
Enhetens vikt:	39,665 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD1025L Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors

Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. The QPD1025 and QPD1025L transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.