Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

PSMN1R6-30MLHX

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-PSMN1R6-30MLHX

Tillverk: Nr.:

PSMN1R6-30MLHX

Tillverk:

Nexperia

Beskrivning:

MOSFET:er The factory is currently not accepting orders for this product.

Datablad:

PSMN1R6-30MLHX Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Nexperia PSMN1R6-30MLHX

Tillgänglighet

Lager:: Ej i lager, ring för att begära en offert

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Nexperia
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	LFPAK-33-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	160 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	41 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	106 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Falltid:	24 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	34 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns
Del # Alias:	934660071115
Enhetens vikt:	100,200 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrera dokument:

Datablad

PSMN1R6-30MLHX Datablad (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

PSMN N-Channel 30V MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low R_DSon and low I_DSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.