BUK9R4R5-40HJ

Nexperia
771-BUK9R4R5-40HJ
BUK9R4R5-40HJ

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er BUK9R4R5-40H/SOT8038/MLPAK56

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 169

Lager:
169 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
12,32 kr 12,32 kr
7,64 kr 76,40 kr
6,50 kr 325,00 kr
5,00 kr 500,00 kr
4,17 kr 1.042,50 kr
3,23 kr 1.615,00 kr
2,92 kr 2.920,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
2,53 kr 7.590,00 kr
2,33 kr 13.980,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Nexperia
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
MLPAK56-WF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
91 A
4.5 mOhms
20 V
2.15 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Nexperia
Konfiguration: Single
Falltid: 14 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 24 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 16 ns
Del # Alias: 934670276118 934670276118, BXK9R4R5-40HJ
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.