+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MW6S010NR1

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

841-MW6S010NR1

Tillverk: Nr.:

MW6S010NR1

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer HV6 900MHZ 10W TO270-2N

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

MW6S010NR1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Inte tillgänglig

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Prissättning (SEK)

Begär ett pris

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	125 mA
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	68 V
Manövreringsfrekvens:	450 MHz to 1.5 GHz
Förstärkning:	18 dB
Utgångseffekt:	10 W
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-270-2
Förpackning:	Reel
Märke:	NXP Semiconductors
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MW6S010N
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Del # Alias:	935319268528
Enhetens vikt:	1,700 g