Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MRFX1K80GNR5

Name: NXP MRFX1K80GNR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFX1K80GNR5
Price: 3125.03 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-MRFX1K80GNR5

Tillverk: Nr.:

MRFX1K80GNR5

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Datablad:

MRFX1K80GNR5 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors MRFX1K80GNR5

På lager: 5

Lager:: 5 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3.125,03 kr	3.125,03 kr
	2.693,39 kr	26.933,90 kr
	2.585,70 kr	64.642,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	2.520,73 kr	126.036,50 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	43 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	179 V
Manövreringsfrekvens:	1.8 MHz to 400 MHz
Förstärkning:	24.4 dB
Utgångseffekt:	1.8 kW
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	OM-1230G-4
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	NXP Semiconductors
Transkonduktans framåt - Min:	44.7 S
Fuktkänsliga:	Yes
Antal kanaler:	2 Channel
Pd - Effektavledning:	3.333 kW
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFX1K80N
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.9 V
Del # Alias:	935362677578
Enhetens vikt:	5,281 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MRFX1K80GNR5 Datablad (PDF)

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFX Series 65V LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRFX Series 65V LDMOS Transistors offer high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These transistors feature high power density, lower current losses, high efficiency, easier matching to 50Ω, wide safety margin, and negligible magnetic radiation. The higher power density, low current, and high safety margin enable highly reliable and more integrated industry 4.0 systems with better energy management.