Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 3657.71 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

841-MRF1K50NR5

Tillverk: Nr.:

MRF1K50NR5

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Datablad:

MRF1K50NR5 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors MRF1K50NR5

På lager: 41

Lager:: 41 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3.657,71 kr	3.657,71 kr
	3.155,55 kr	31.555,50 kr
	3.030,96 kr	75.774,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	2.952,92 kr	147.646,00 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	36 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	133 V
Manövreringsfrekvens:	1.8 MHz to 500 MHz
Förstärkning:	23 dB
Utgångseffekt:	1.5 kW
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	OM-1230-4
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	NXP Semiconductors
Transkonduktans framåt - Min:	33.5 S
Fuktkänsliga:	Yes
Antal kanaler:	2 Channel
Pd - Effektavledning:	2.941 kW
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50N
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V
Del # Alias:	935318822578
Enhetens vikt:	5,281 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MRF1K50NR5 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections.