MT41K512M8DA-093:P

Micron
340-265839-TRAY
MT41K512M8DA-093:P

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT

Livscykel:
Verifiera statusen med fabriken:
Informationen om livscykel är oklar. Erhåll ett anbud för att verifiera tillgängligheten för detta artikelnummer från tillverkaren.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 191

Lager:
2 191 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
53 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 2191 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 2191
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
153,04 kr 153,04 kr
146,82 kr 1.468,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Micron Technology
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
1.066 GHz
FBGA-78
512 M x 8
13.09 ns
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Märke: Micron
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 1440
Underkategori: Memory & Data Storage
Enhetens vikt: 1,233 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.