TN5325N8-G

Name: Microchip TN5325N8-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TN5325N8-G
Price: 7.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

689-TN5325N8-G

Tillverk: Nr.:

TN5325N8-G

Tillverk:

Microchip Technology

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 18 648 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 7 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	7,31 kr	7,31 kr
	6,00 kr	150,00 kr
	5,53 kr	553,00 kr
	4,72 kr	4.720,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	4,72 kr	9.440,00 kr
	4,34 kr	17.360,00 kr
	3,80 kr	38.000,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-89-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	250 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	316 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	600 mV
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.6 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	52,800 mg