MSCSM120XM50CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM120XM50CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120XM50CTYZBNMG
Price: 6775.52 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-M120XM50CTYZBNMG

Tillverk: Nr.:

MSCSM120XM50CTYZBNMG

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

Datablad:

MSCSM120XM50CTYZBNMG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1

Lager:: 1 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6 775,52 kr	6 775,52 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	3-Phase Bridge
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.5 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Märke:	Microchip Technology
Falltid:	25 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Pd - Effektavledning:	315 W
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	50 mOhms
Stigtid:	30 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V