MSCSM120SKM11CT3AG

Name: Microchip MSCSM120SKM11CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120SKM11CT3AG
Price: 1718.9 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-120SKM11CT3AG

Tillverk: Nr.:

MSCSM120SKM11CT3AG

Tillverk:

Microchip Technology

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Ange kvantitet:

Minst: 4 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1 718,90 kr	6 875,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.5 V
Vr - Backspänning:	1.2 kV
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SP3F
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Förpackning:	Bulk
Märke:	Microchip Technology
Falltid:	25 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	254 A
Pd - Effektavledning:	1.067 kW
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10.4 mOhms
Stigtid:	30 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V