Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSCSM120AM02CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM02CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM02CT6LIAG
Price: 10853.78 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-SM120AM02CT6LIAG

Tillverk: Nr.:

MSCSM120AM02CT6LIAG

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSCSM120AM02CT6LIAG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSCSM120AM02CT6LIAG

På lager: 8

Lager:: 8 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	10.853,78 kr	10.853,78 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.5 V
Vr - Backspänning:	1.2 kV
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SP6
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Dual
Falltid:	67 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	947 A
Pd - Effektavledning:	3.75 kW
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.6 mOhms
Stigtid:	55 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	166 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	56 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSCSM120AM02CT6LIAG Datablad (PDF)

DTS

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.