+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 57.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-MSC080SMB120B4N

Tillverk: Nr.:

MSC080SMB120B4N

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MSC080SMB120B4N Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC080SMB120B4N

På lager: 77

Lager:: 77 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	57,24 kr	57,24 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	30 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	107 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	34 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	161 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	8 ns
Förpackning:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC080SMB120B4N Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-9 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.