MSC080SMA120SCT/RM

Name: Microchip MSC080SMA120SCT/RM
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC8SMA120SCTRM
Price: 103.56 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-MSC8SMA120SCTRM

Tillverk: Nr.:

MSC080SMA120SCT/RM

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm PSMT

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

MSC080SMA120SCT/RM Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 100 Flera: 100

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
	103,56 kr	10 356,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-268-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	100 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	64 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	209 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Falltid:	19 ns
Förpackning:	Reel
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	11 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	mSiC MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13 ns