Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC050SDA120S

Name: Microchip MSC050SDA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120S
Price: 167.32 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-MSC050SDA120S

Tillverk: Nr.:

MSC050SDA120S

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-schottkydioder SIC SBD 1200 V 50 A TO-268

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSC050SDA120S Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC050SDA120S

På lager: 70

Lager:: 70 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	167,32 kr	167,32 kr
	154,34 kr	4.630,20 kr
	134,29 kr	16.114,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D3PAK
Konfiguration:	Single
If - Framström:	50 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	1.2 kV
Vf - Framspänning:	1.5 V
Ifsm - Stötström framåt:	290 A
Ir - Motström:	200 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Förpackning:	Tube
Märke:	Microchip Technology
Pd - Effektavledning:	429 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC050SDA120S Datablad (PDF)

DTS

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.