MIC4606-2YML-TR

Microchip Technology
998-MIC4606-2YMLTR
MIC4606-2YML-TR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 85V Full Bridge FET Driver

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 936

Lager:
1 936
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
5 000
Förväntad 2026-07-22
Fabrikens ledtid:
8
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
23,96 kr 23,96 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
23,96 kr 119 800,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Microchip
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
MOSFET Gate Drivers
Full-Bridge
SMD/SMT
QFN-16
4 Driver
4 Output
1 A
5.5 V
16 V
Non-Inverting
20 ns
20 ns
- 40 C
+ 125 C
MIC4606
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Microchip Technology
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: MY
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Del # Alias: MIC4606-2YML TR
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MIC4606 85V Full Bridge MOSFET Driver

Microchip Technology MIC4606 85V Full-Bridge MOSFET Driver offers adaptive dead time and shoot-through protection. MIC4606's adaptive dead-time circuitry constantly monitors both sides of the full bridge. This design minimizes the time between high-side and low-side MOSFET transitions, which in turn maximizes power efficiency.