Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 2518.23 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

937-WST4300D-GP4

Tillverk: Nr.:

WST4300D-GP4

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

WST4300D-GP4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM WST4300D-GP4

På lager: 50

Lager:: 50 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 10 Flera: 10

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2.518,23 kr	25.182,30 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
Monteringsstil:	SMD/SMT
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	84 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	110 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 2 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Märke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Förstärkning:	20 dB
Maximal driftsfrekvens:	6 GHz
Minsta driftfrekvens:	DC
Utgångseffekt:	89.13 W
Produkt:	GaN FETs
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN, SiC
Typ:	GaN on SiC Transistor

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

WST4300D-GP4 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.