Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

GTVA107001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA107001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA107001ECV1R0
Price: 10066.29 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-GTVA107001ECV1R0

Tillverk: Nr.:

GTVA107001EC-V1-R0

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W

Datablad:

GTVA107001EC-V1-R0 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM GTVA107001EC-V1-R0

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 50 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	10 066,29 kr	503 314,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	H-36248-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 3 V
Märke:	MACOM
Förstärkning:	18 dB
Maximal driftsfrekvens:	1.215 GHz
Minsta driftfrekvens:	960 MHz
Utgångseffekt:	890 W
Förpackning:	Reel
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN-on-SiC
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V to 2 V
Enhetens vikt:	8,198 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GTVA107001EC-V1-R0 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

GTVA högeffekts RF-GaN på SiC HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA högeffekts RF - GaN på SiC HEMT är transistorer med hög elektronförflyttning (HEMT) på 50 V som är baserade på galliumnitrid i kiselkarbid -teknik. GaN på SiC erbjuder högeffektiv täthet kombinerat med en hög nedbrytningsspänning vilket möjliggör högeffektiva effektförstärkare. GTVA högeffekts RF-GaN på SiC HEMT har ingångsmatchning, hög effektivitet och termiskt förbättrade kapslingar. Enheterna med puls/CW (kontinuerlig våg) har en pulsbredd på 128µs och en tjänstecykel på 10 %.