CMPA901A035F

MACOM
941-CMPA901A035F
CMPA901A035F

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 240

Lager:
240 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
10.203,82 kr 10.203,82 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
MACOM
Produktkategori: RF-förstärkare
Leveransrestriktioner:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
9 GHz to 11 GHz
28 V
1.5 A
23 dB
Power Amplifiers
Screw
GaN
- 23 dBm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Märke: MACOM
Utvecklingskit: CMPA901A035F-AMP
Ingångsreturförlust: - 5 dB
Fuktkänsliga: Yes
Antal kanaler: 1 Channel
Pd - Effektavledning: 35 W
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrekvens: 11 GHz
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.