Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CMPA901A035F

Name: MACOM CMPA901A035F
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA901A035F
Price: 10203.82 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CMPA901A035F

Tillverk: Nr.:

CMPA901A035F

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

RF-förstärkare 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange

Datablad:

CMPA901A035F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CMPA901A035F

Leveransavisering:

Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 240

Lager:: 240 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	10.203,82 kr	10.203,82 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	RF-förstärkare
Leveransrestriktioner:	Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:
Manövreringsfrekvens:	9 GHz to 11 GHz
Driftspänning:	28 V
Arbetsström:	1.5 A
Förstärkning:	23 dB
Typ:	Power Amplifiers
Monteringsstil:	Screw
Teknologi:	GaN
OIP3 - Skärningspunkt för tredje ordern:	- 23 dBm
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Förpackning:	Tray
Märke:	MACOM
Utvecklingskit:	CMPA901A035F-AMP
Ingångsreturförlust:	- 5 dB
Fuktkänsliga:	Yes
Antal kanaler:	1 Channel
Pd - Effektavledning:	35 W
Produkttyp:	RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrekvens:	11 GHz

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CMPA901A035F Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.