Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CGHV40030F

Name: MACOM CGHV40030F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40030F
Price: 2327.65 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CGHV40030F

Tillverk: Nr.:

CGHV40030F

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Datablad:

CGHV40030F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CGHV40030F

På lager: 301

Lager:: 301 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2 327,65 kr	2 327,65 kr
	1 965,45 kr	19 654,50 kr
100	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440166
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.2 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.3 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Märke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Utvecklingskit:	CGHV40030-TB1
Förstärkning:	16 dB
Maximal driftsfrekvens:	1.4 GHz
Minsta driftfrekvens:	960 MHz
Utgångseffekt:	30 W
Förpackning:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	2.6 V
Enhetens vikt:	7,396 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CGHV40030F Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: USA

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.