IM2G16D2DBBG-25

Intelligent Memory
822-IM2G16D2DBBG-25
IM2G16D2DBBG-25

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 22

Lager:
22
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
209
Förväntad 2026-09-29
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
422,73 kr 422,73 kr
390,72 kr 3 907,20 kr
378,10 kr 9 452,50 kr
368,67 kr 18 433,50 kr
359,45 kr 35 945,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Intelligent Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR2
2 Gbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
128 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
0 C
+ 95 C
IM2G16D2
Tray
Märke: Intelligent Memory
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 209
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 58 mA
Enhetens vikt: 194 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

Double Data Rate 2 (DDR2) SDRAM

Intelligent Memory Double Data Rate (DDR2) Synchronous DRAM (SDRAM) are eight-bank devices that achieve high-speed data transfer rates. Interleaving the eight memory banks allows random access operations faster than standard DRAMs. A chip architecture prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. All control, address, and circuits are synchronized with the positive edge of an externally supplied clock. In a source-synchronous manner, I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes. A sequential, gapless data rate is possible depending on the device's burst length, CAS latency, and speed grade.