Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SPD50P03LGXT

Name: Infineon SPD50P03LGXT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SPD50P03LGXT
Price: 10.03 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-SPD50P03LGXT

Tillverk: Nr.:

SPD50P03LGXT

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

Datablad:

SPD50P03LGXT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2500 Flera: 2500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	10,03 kr	25 075,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

SPD50P03L G

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

28,94 kr

Min:

Tillverk: Artikelnummer:

SPD50P03LGBTMA1

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

30,10 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Infineon Technologies

Tillverk: Nr.:

SPD50P03LGBTMA1

Beskrivning:

MOSFET:er P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	50 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	126 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q100
Förpackning:	Reel
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	104 ns
Transkonduktans framåt - Min:	47 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	21.7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	139 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14.8 ns
Del # Alias:	SP000371908 SPD50P03L G SPD50P03LGBTMA1
Enhetens vikt:	330 mg