Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISP26DP06NMSATMA1

Name: Infineon ISP26DP06NMSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISP26DP06NMSATMA
Price: 6.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISP26DP06NMSATMA

Tillverk: Nr.:

ISP26DP06NMSATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er SMALL SIGNAL MOSFETS

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

ISP26DP06NMSATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 968

Lager:: 968 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 968 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	6,93 kr	6,93 kr
	4,27 kr	42,70 kr
	2,76 kr	276,00 kr
	2,37 kr	2 370,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,31 kr	6 930,00 kr
	2,09 kr	12 540,00 kr
	1,82 kr	16 380,00 kr
	1,45 kr	34 800,00 kr

Liknande produkt

Tillverk:

Infineon Technologies

Tillverk: Nr.:

BSP170IATMA1

Beskrivning:

MOSFET:er Small Signal MOSFET, -60 V

Livscykel:

Ny produkt: Nytt från denna tillverkare.

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-223-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	260 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	10.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	5 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	AT
Ursprungsland:	MY
Falltid:	5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	3.1 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	15 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5 ns
Del # Alias:	ISP26DP06NMS SP004987242
Enhetens vikt:	116,010 mg