Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISG0614N06NM5HSCATMA1

Name: Infineon ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISG0614N06NM5HSC
Price: 47.09 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISG0614N06NM5HSC

Tillverk: Nr.:

ISG0614N06NM5HSCATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET 60V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ISG0614N06NM5HSCATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISG0614N06NM5HSCATMA1

På lager: 2 708

Lager:: 2 708 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	47,09 kr	47,09 kr
	32,92 kr	329,20 kr
	23,54 kr	2.354,00 kr
	21,04 kr	10.520,00 kr
	20,38 kr	20.380,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	19,18 kr	57.540,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TFN-10
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	233 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.3 V
Qg - Gate-laddning:	68 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	167 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Falltid:	6.8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	70 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	18 ns
Del # Alias:	ISG0614N06NM5HSC SP005575184

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISG0614N06NM5HSCATMA1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Power MOSFET-enheter

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
Learn More