Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 31.06 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC073N12LM6ATMA

Tillverk: Nr.:

ISC073N12LM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET >100-150V

Datablad:

ISC073N12LM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1

På lager: 6 206

Lager:: 6 206

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 5 000

Förväntad 2026-07-02
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	31,06 kr	31,06 kr
	20,25 kr	202,50 kr
	14,31 kr	1 431,00 kr
	11,55 kr	5 775,00 kr
	11,45 kr	11 450,00 kr
	10,92 kr	27 300,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	10,71 kr	53 550,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	86 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	14.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	125 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	45 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	3 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7 ns
Del # Alias:	ISC073N12LM6 SP005586060

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISC073N12LM6ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Tyskland
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Tyskland

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.

OptiMOS™ MOSFET:ar med 3 N-kanaler

Infineon Technologies OptiMOS™ MOSFET:ar med 3 N-kanaler har låg resistans vid tillslaget läge i en SuperSO8-kapsling utan stift. OptiMOS MOSFET:ar ökar effekttätheten med upp till 50 procent i tillämpningar för industri, konsument och telekommunikation. OptiMOS™ MOSFET:ar finns med 3 st. N-kanaler på 40 V, 60 V och 80 V i SuperSO8- och Shrink SuperSO8 (S3O8)-kapslingar. Jämfört med standard Transistor Outline-kapslingar (TO), ökar SuperSO8 effekttätheten med så mycket som 50 procent.