Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISC037N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC037N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC037N12NM6ATMA
Price: 41.34 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC037N12NM6ATMA

Tillverk: Nr.:

ISC037N12NM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET >100-150V

Datablad:

ISC037N12NM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC037N12NM6ATMA1

På lager: 14 700

Lager:: 14 700 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	41,34 kr	41,34 kr
	27,14 kr	271,40 kr
	20,03 kr	2 003,00 kr
	17,28 kr	8 640,00 kr
	16,64 kr	16 640,00 kr
	16,01 kr	40 025,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	14,95 kr	74 750,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDSON-8FL
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	163 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	46 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	214 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	7.2 ns
Transkonduktans framåt - Min:	47 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Del # Alias:	ISC037N12NM6 SP005434366

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISC037N12NM6ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Tyskland
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Tyskland

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.