Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISC025N08NM6ATMA1

Name: Infineon ISC025N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC025N08NM6ATMA
Price: 32.44 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC025N08NM6ATMA

Tillverk: Nr.:

ISC025N08NM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ISC025N08NM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC025N08NM6ATMA1

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 000

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	32,44 kr	32,44 kr
	21,09 kr	210,90 kr
	15,37 kr	1 537,00 kr
	12,93 kr	6 465,00 kr
	12,08 kr	12 080,00 kr
	11,24 kr	28 100,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	11,24 kr	56 200,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	171 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	80 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	167 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.3 ns
Transkonduktans framåt - Min:	40 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8.6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Del # Alias:	ISC025N08NM6 SP006197419

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISC025N08NM6ATMA1 Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Österrike
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Österrike

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).