Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

ISC009N06NM6ATMA1

Name: Infineon ISC009N06NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC009N06NM6ATMA
Price: 33.5 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC009N06NM6ATMA

Tillverk: Nr.:

ISC009N06NM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ISC009N06NM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC009N06NM6ATMA1

På lager: 3 370

Lager:: 3 370 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	33,50 kr	33,50 kr
	23,11 kr	231,10 kr
	19,82 kr	1 982,00 kr
	19,19 kr	9 595,00 kr
	18,55 kr	18 550,00 kr
	18,02 kr	45 050,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	17,28 kr	86 400,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-TDSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	344 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	900 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.3 V
Qg - Gate-laddning:	97 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	221 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	8.5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	110 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	32.9 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13.5 ns
Del # Alias:	ISC009N06NM6 SP005570342

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

ISC009N06NM6ATMA1 Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Österrike
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Österrike

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs deliver superior performance via robust power MOSFET technology. The OptiMOS 60V Power MOSFETs provide >37% lower R_DS(on) and ~25% higher FOM_Qg x R_DS(on) performance than OptiMOS 5. The Infineon OptiMOS 6 60V Power MOSFETs offer higher system efficiency and power density in soft-switching topologies and low-frequency applications.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.