Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IR2233SPbF

Name: Infineon IR2233SPbF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233SPBF
Price: 70.7 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

942-IR2233SPBF

Tillverk: Nr.:

IR2233SPbF

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

Styrdrivenheter 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Datablad:

IR2233SPbF Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IR2233SPbF

På lager: 2 688

Lager:: 2 688 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	70,70 kr	70,70 kr
	54,70 kr	547,00 kr
	50,67 kr	1 266,75 kr
	46,32 kr	4 632,00 kr
	43,04 kr	10 760,00 kr
	42,93 kr	21 465,00 kr
	41,66 kr	41 660,00 kr
	39,33 kr	78 660,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-28
Antal drivenheter:	6 Driver
Antal utgångar:	6 Output
Utgångsström:	500 mA
Minimal matningsspänning:	10 V
Maximal matningsspänning:	20 V
Stigtid:	90 ns
Falltid:	40 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	IR223X
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Egenskaper:	Independent
Logiktyp:	CMOS, LSTTL
Maximal förseningstid vid avstängning:	700 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	750 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Arbetsström:	4 mA
Pd - Effektavledning:	1.6 W
Produkttyp:	Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max:	1 us
Avstängning:	Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	Si
Handelsnamn:	EiceDRIVER
Enhetens vikt:	2,215 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IR2233SPbF Datablad (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.