IR21834STRPBF
Se produktspecifikationer
Tillverk:
Beskrivning:
Styrdrivenheter Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
På lager: 5 195
-
Lager:
-
5 195 Kan skickas omedelbartEtt oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
-
Fabrikens ledtid:
-
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Prissättning (SEK)
| Antal | Enhetspris |
Ext. pris
|
|---|---|---|
| Skärtejp/MouseReel™ | ||
| 23,11 kr | 23,11 kr | |
| 17,28 kr | 172,80 kr | |
| 15,79 kr | 394,75 kr | |
| 14,10 kr | 1 410,00 kr | |
| 13,36 kr | 3 340,00 kr | |
| 12,83 kr | 6 415,00 kr | |
| 12,40 kr | 12 400,00 kr | |
| Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500) | ||
| 11,98 kr | 29 950,00 kr | |
| 11,77 kr | 58 850,00 kr | |
Alternativ förpackning
Datablad
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- USA
- Monteringsland:
- Thailand
- Distributionsland:
- Taiwan
Sverige
