IR21271PBF
Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer
Se produktspecifikationer
942-IR21271PBF
IR21271PBF
Tillverk:
Beskrivning:
Styrdrivenheter Current Sense 1-CH 600V 200mA 250mV
Styrdrivenheter Current Sense 1-CH 600V 200mA 250mV
Livscykel:
Utgående:
Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.
Datablad:
Tillgänglighet
-
Lager:
-
0
Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.
Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare. -
Fabrikens ledtid:
-
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Prissättning (SEK)
| Antal | Enhetspris |
Ext. pris
|
|---|---|---|
| 32,97 kr | 32,97 kr | |
| 26,82 kr | 268,20 kr | |
| 25,55 kr | 638,75 kr | |
| 24,17 kr | 2 417,00 kr | |
| 23,53 kr | 5 882,50 kr | |
| 23,21 kr | 11 605,00 kr | |
| 22,68 kr | 22 680,00 kr | |
| 21,31 kr | 63 930,00 kr | |
| 21,20 kr | 127 200,00 kr |
Liknande produkt
Datablad
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
EOL
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
Efterlevnadskoder
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassificeringar
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Monteringsland:
- Kina
- Distributionsland:
- Taiwan
