IPWS65R035CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPWS65R035CFD7AX
IPWS65R035CFD7AXKSA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 240   Flera: 240
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
61,37 kr 14 728,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 40 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Märke: Infineon Technologies
Produkttyp: MOSFETs
Serie: CoolMOS CFD7A
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: Transistors
Del # Alias: IPWS65R035CFD7A SP005405804
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Österrike
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.