Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPW65R041CFDFKSA2

Name: Infineon IPW65R041CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R041CFDFKS2
Price: 119.36 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPW65R041CFDFKS2

Tillverk: Nr.:

IPW65R041CFDFKSA2

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er HIGH POWER_LEGACY

Datablad:

IPW65R041CFDFKSA2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPW65R041CFDFKSA2

På lager: 181

Lager:: 181

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 240

Förväntad 2026-06-12
Fabrikens ledtid:: 15

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	119,36 kr	119,36 kr
	71,97 kr	719,70 kr
	62,43 kr	6 243,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	700 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	68.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	41 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	300 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	Transistors
Del # Alias:	IPW65R041CFD SP001987360
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPW65R041CFDFKSA2 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Tyskland
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Tyskland

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.