Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPTC034N15NM6ATMA1

Name: Infineon IPTC034N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTC034N15NM6ATM
Price: 53.53 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPTC034N15NM6ATM

Tillverk: Nr.:

IPTC034N15NM6ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IPTC034N15NM6ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPTC034N15NM6ATMA1

På lager: 1 385

Lager:: 1 385 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	53,53 kr	53,53 kr
	35,72 kr	357,20 kr
	25,65 kr	2 565,00 kr
	23,11 kr	11 555,00 kr
	21,62 kr	21 620,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1800)
	21,62 kr	38 916,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	194 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	69 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	294 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	70 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1800
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	26 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Del # Alias:	IPTC034N15NM6 SP006055102

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPTC034N15NM6ATMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Österrike
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: Tyskland

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 150V effekt-MOSFET:er

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low R_DS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower R_DS(on), 20% lower FOM_g, and 17% lower FOM_gd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad R_DS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.