IPDD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPDD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDD60R180CM8XTM
Price: 25.44 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPDD60R180CM8XTM

Tillverk: Nr.:

IPDD60R180CM8XTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er HIGH POWER_NEW

Datablad:

IPDD60R180CM8XTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPDD60R180CM8XTMA1

På lager: 1 515

Lager:: 1 515 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,44 kr	25,44 kr
	16,43 kr	164,30 kr
	11,34 kr	1 134,00 kr
	9,48 kr	4 740,00 kr
	8,61 kr	8 610,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1700)
	8,38 kr	14 246,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HDSOP-10
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	21 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	180 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.7 V
Qg - Gate-laddning:	17 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	169 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	MY
Distributionsland:	DE
Ursprungsland:	DE
Falltid:	12.8 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6 ns
Serie:	600V CM8
Fabriksförpackningskvantitet:	1700
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	88.4 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17.2 ns
Del # Alias:	IPDD60R180CM8 SP005578049

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPDD60R180CM8XTMA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.