Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPD110N12N3GATMA1

Name: Infineon IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD110N12N3GATM1
Price: 25.76 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPD110N12N3GATM1

Tillverk: Nr.:

IPD110N12N3GATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET >100-150V

Datablad:

IPD110N12N3GATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 5 305

Lager:: 5 305

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 5 000
Fabrikens ledtid:: 11

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	25,76 kr	25,76 kr
	15,79 kr	157,90 kr
	11,45 kr	1 145,00 kr
	9,30 kr	4 650,00 kr
	8,66 kr	8 660,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	8,09 kr	20 225,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	75 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	11 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	49 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	136 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	42 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Serie:	OptiMOS 3
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	16 ns
Del # Alias:	IPD110N12N3 G SP001127808
Enhetens vikt:	4 g