Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPB120P04P404ATMA2

Name: Infineon IPB120P04P404ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB120P04P404ATM
Price: 35.3 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPB120P04P404ATM

Tillverk: Nr.:

IPB120P04P404ATMA2

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET_(20V 40V)

Datablad:

IPB120P04P404ATMA2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA2

På lager: 4 947

Lager:: 4 947 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 9 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	35,30 kr	35,30 kr
	23,00 kr	230,00 kr
	16,43 kr	1 643,00 kr
	13,46 kr	6 730,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	12,61 kr	12 610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	120 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	158 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	136 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	MY
Distributionsland:	AT
Ursprungsland:	AT
Falltid:	52 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	49 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Del # Alias:	IPB120P04P4-04 SP002325758 IPB120P04P404ATMA1 SP000842270
Enhetens vikt:	324 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPB120P04P404ATMA2 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.