Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMBG75R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R040M2HXTM
Price: 83.28 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMBG75R040M2HXTM

Tillverk: Nr.:

IMBG75R040M2HXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 750 V G2

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IMBG75R040M2HXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMBG75R040M2HXTMA1

På lager: 140

Lager:: 140 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	83,28 kr	83,28 kr
	60,60 kr	606,00 kr
	50,47 kr	5.047,00 kr
	44,91 kr	22.455,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	40,00 kr	40.000,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	42 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	50 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.6 V
Qg - Gate-laddning:	30 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	156 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	6 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	7 ns
Serie:	CoolSiC G2
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns
Del # Alias:	IMBG75R040M2H SP006098933

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMBG75R040M2HXTMA1 Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.