Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMBF170R650M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R650M1XTM
Price: 53.85 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMBF170R650M1XTM

Tillverk: Nr.:

IMBF170R650M1XTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datablad:

IMBF170R650M1XTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1

På lager: 1 941

Lager:: 1 941 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 30 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	53,85 kr	53,85 kr
	33,28 kr	332,80 kr
	25,76 kr	2 576,00 kr
	24,27 kr	12 135,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	22,90 kr	22 900,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.7 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	7.4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	650 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	88 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Falltid:	22 ns
Transkonduktans framåt - Min:	0.65 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	16 ns
Serie:	CoolSiC 1700V
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Del # Alias:	IMBF170R650M1 SP002739686
Enhetens vikt:	1,600 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMBF170R650M1XTMA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Österrike
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: Österrike

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.