Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IKB40N65EF5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65EF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65EF5ATMA1
Price: 46.75 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IKB40N65EF5ATMA1

Tillverk: Nr.:

IKB40N65EF5ATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBTs INDUSTRY

Datablad:

IKB40N65EF5ATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IKB40N65EF5ATMA1

På lager: 1 324

Lager:: 1 324 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	46,75 kr	46,75 kr
	30,63 kr	306,30 kr
	22,26 kr	2 226,00 kr
	19,82 kr	9 910,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	18,44 kr	18 440,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Monteringsstil:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.6 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	74 A
Pd - Effektavledning:	250 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT5
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Kontinuerlig kollektorström IC max.:	74 A
Gate-sändarens läckström:	100 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	IGBTs
Handelsnamn:	TRENCHSTOP
Del # Alias:	IKB40N65EF5 SP001509612
Enhetens vikt:	1,561 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IKB40N65EF5ATMA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Tyskland
Monteringsland:: Malaysia
Distributionsland:: Tyskland

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.

TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.