Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IAUCN04S7N010GATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N010GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N010GAT
Price: 19.73 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IAUCN04S7N010GAT

Tillverk: Nr.:

IAUCN04S7N010GATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IAUCN04S7N010GATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IAUCN04S7N010GATMA1

På lager: 560

Lager:: 560 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	19,73 kr	19,73 kr
	12,64 kr	126,40 kr
	8,72 kr	872,00 kr
	7,39 kr	3.695,00 kr
	6,45 kr	6.450,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	5,47 kr	27.350,00 kr
	5,40 kr	54.000,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-THSOG-4-1
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	252 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.04 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	59 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	123 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	29 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	23 ns
Serie:	OptiMOS 7
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns
Del # Alias:	IAUCN04S7N010G SP005984384

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IAUCN04S7N010GATMA1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.