+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FP50R12N2T7PBPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PBPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PBPSA
Price: 703.84 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-FP50R12N2T7PBPSA

Tillverk: Nr.:

FP50R12N2T7PBPSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBT-moduler 1200 V, 50 A PIM IGBT module

Datablad:

FP50R12N2T7PBPSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FP50R12N2T7PBPSA1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	703,84 kr	703,84 kr
	594,87 kr	5 948,70 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBT-moduler
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	3-Phase Inverter
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.5 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	50 A
Gate-sändarens läckström:	100 nA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tray
Märke:	Infineon Technologies
Maximal grind-emitterspänning:	20 V
Monteringsstil:	Through Hole
Produkttyp:	IGBT Modules
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	IGBTs
Teknologi:	Si
Del # Alias:	FP50R12N2T7P SP005407056

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FP50R12N2T7PBPSA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Ungern
Monteringsland:: Ungern
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.