FP10R12W1T7PB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FP10R12W1T7PB111
FP10R12W1T7PB11BPSA1

Tillverk:

Beskrivning:
IGBT-moduler EASY

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4

Lager:
4 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 4 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
387,54 kr 387,54 kr
330,51 kr 3 305,10 kr
289,17 kr 34 700,40 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBT-moduler
RoHS-direktivet:  
IGBT Silicon Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.6 V
10 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Märke: Infineon Technologies
Produkttyp: IGBT Modules
Serie: Trenchstop IGBT7
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: IGBTs
Teknologi: Si
Handelsnamn: EasyPIM
Del # Alias: FP10R12W1T7P_B11 SP005417641
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Ungern
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Österrike
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

EasyPIM™ IGBT-modul

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT-modul är en 3-fas ingångslikriktare PIM IGBT-modul med TRENCHSTOP™ IGBT7, emitterstyrd 7 diod och NTC/PressFit-teknik. Modulen har förbättrade styrningsmöjligheter för dv/dt, förbättrad mjukhet framåt, optimerade switchförluster och 8 µs tålighet mot kortslutning. EasyPIM (effektintegrerad modul) har väldigt liten storlek vilket gör det lättare att åstadkomma en hög effekttäthet. Modulen sänker systemets kostnader och förluster för att klara energieffektivitetskraven. Typiska tillämpningar innefattar extra inverterare, luftkonditionering, servomotor och VVS-installationer.