Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

FF900R12ME7WB11BPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7WB11B
Price: 2076.45 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-FF900R12ME7WB11B

Tillverk: Nr.:

FF900R12ME7WB11BPSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBT-moduler 1200 V, 900 A dual IGBT module

Datablad:

FF900R12ME7WB11BPSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies FF900R12ME7WB11BPSA1

På lager: 6

Lager:: 6 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2.076,45 kr	2.076,45 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBT-moduler
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.5 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	890 A
Gate-sändarens läckström:	100 nA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tray
Märke:	Infineon Technologies
Produkttyp:	IGBT Modules
Fabriksförpackningskvantitet:	6
Underkategori:	IGBTs
Teknologi:	Si
Handelsnamn:	EconoDUAL
Del # Alias:	FF900R12ME7W_B11 SP005589481

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FF900R12ME7WB11BPSA1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.