Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BSS126IXTSA1

Name: Infineon BSS126IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS126IXTSA1
Price: 3.37 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-BSS126IXTSA1

Tillverk: Nr.:

BSS126IXTSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er SMALL SIGNAL MOSFETS

Datablad:

BSS126IXTSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies BSS126IXTSA1

På lager: 5 381

Lager:: 5 381 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	3,37 kr	3,37 kr
	2,05 kr	20,50 kr
	1,28 kr	128,00 kr
	0,954 kr	477,00 kr
	0,848 kr	848,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	0,70 kr	2 100,00 kr
	0,689 kr	6 201,00 kr
	0,498 kr	11 952,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	21 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V
Qg - Gate-laddning:	1.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Depletion
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	115 ns
Transkonduktans framåt - Min:	0.008 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9.7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N - Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	14 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.1 ns
Del # Alias:	BSS126I SP005425148
Enhetens vikt:	8 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BSS126IXTSA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Malaysia
Monteringsland:: Kina
Distributionsland:: Malaysia

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

MOSFET:er med liten signaleffekt

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
Learn More