Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BSG0813NDIATMA1

Name: Infineon BSG0813NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0813NDIATMA1
Price: 9.07 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-BSG0813NDIATMA1

Tillverk: Nr.:

BSG0813NDIATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET 15V-30V

Datablad:

BSG0813NDIATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 5000 Flera: 5000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	9,07 kr	45 350,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TISON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	50 A, 50 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.6 V
Qg - Gate-laddning:	5.6 nC, 15 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.5 W, 6.25 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Märke:	Infineon Technologies
Falltid:	1.4 ns, 1.7 ns
Transkonduktans framåt - Min:	46 S, 70 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	2.8 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	4.3 ns, 5.7 ns,
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3.6 ns, 4.3 ns
Del # Alias:	BSG0813NDI SP001241676