Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BSC024NE2LSATMA1

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-BSC024NE2LSATMA1

Tillverk: Nr.:

BSC024NE2LSATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Livscykel:

Inaktuell

Datablad:

BSC024NE2LSATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Leveransavisering:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

BSC024NE2LS

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

13,14 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Infineon Technologies

Tillverk: Nr.:

BSC0901NSATMA1

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Leveransrestriktioner:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	100 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	23 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	48 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	2.6 ns
Transkonduktans framåt - Min:	55 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	3.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4.1 ns
Del # Alias:	BSC024NE2LS SP000756342
Enhetens vikt:	118 mg