Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

AUIRFP4568

Name: Infineon AUIRFP4568
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-AUIRFP4568
Price: 161.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

942-AUIRFP4568

Tillverk: Nr.:

AUIRFP4568

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET_(120V 300V)

Datablad:

AUIRFP4568 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies AUIRFP4568

På lager: 1 118

Lager:: 1 118 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	161,86 kr	161,86 kr
	123,28 kr	1 232,80 kr
	102,71 kr	10 271,00 kr
	91,48 kr	36 592,00 kr
	89,89 kr	107 868,00 kr
2 800	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	171 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	227 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	517 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	84 ns
Transkonduktans framåt - Min:	162 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	119 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	400
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	47 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	27 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AUIRFP4568 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Mexiko
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and high current capability. These devices offer an R_DS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.