IXTT88N30P

IXYS
747-IXTT88N30P
IXTT88N30P

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 88 Amps 300V 0.04 Rds

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
316
Förväntad 2026-06-30
1 350
Förväntad 2026-08-31
Fabrikens ledtid:
37
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
174,37 kr 174,37 kr
112,36 kr 1 123,60 kr
97,31 kr 11 677,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
300 V
88 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
600 W
Enhancement
PolarHT
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Falltid: 25 ns
Transkonduktans framåt - Min: 45 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 24 ns
Serie: IXTT88N30
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 96 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 25 ns
Enhetens vikt: 4,500 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99