Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTT16P60P

Name: IXYS IXTT16P60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT16P60P
Price: 179.67 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTT16P60P

Tillverk: Nr.:

IXTT16P60P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

Datablad:

IXTT16P60P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTT16P60P

På lager: 13

Lager:: 13

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 300

Förväntad 2027-01-25

780

Förväntad 2027-02-22
Fabrikens ledtid:: 37

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	179,67 kr	179,67 kr
	134,20 kr	1 342,00 kr
	115,96 kr	13 915,20 kr
	103,99 kr	106 069,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	16 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	720 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	92 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	460 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PolarP
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	38 ns
Transkonduktans framåt - Min:	11 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Serie:	IXTT16P60
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	29 ns
Enhetens vikt:	4,500 g